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Référence fabricant | VS-150EBU04HF4 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-150EBU04HF4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-150EBU04HF4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 150A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | PowerTab® |
Package d'appareils du fournisseur | PowerTab® |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-150EBU04HF4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-150EBU04HF4-FT |
VS-307U160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307U200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307U250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UA200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UA250P4
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307UR250
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-307URA200
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel