maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-12CWQ10FNTRHM3
Référence fabricant | VS-12CWQ10FNTRHM3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-12CWQ10FNTRHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-12CWQ10FNTRHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ10FNTRHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-12CWQ10FNTRHM3-FT |
VS-12CWQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20WM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW10CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW12C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW12CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW15CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM12CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM15CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel