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Référence fabricant | VS-10WT10FN |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10WT10FN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10WT10FN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10WT10FN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10WT10FN-FT |
V35PW12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW60-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35PWM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel