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Référence fabricant | VS-10ETS12PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETS12PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETS12PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETS12PBF-FT |
GUR5H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GUR5H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel