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Référence fabricant | VS-10ETF10PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETF10PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETF10PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 310ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF10PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETF10PBF-FT |
GI1403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1404-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1404HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GUR5H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GUR5H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel