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Référence fabricant | VS-10ETF02STRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETF02STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETF02STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF02STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETF02STRRPBF-FT |
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
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5CGXBC3B6F23C7N
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10AX057N2F40E2LG
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