maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-10BQ015HM3/5BT
Référence fabricant | VS-10BQ015HM3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10BQ015HM3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-10BQ015HM3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 15V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 330mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 15V |
Capacité @ Vr, F | 390pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10BQ015HM3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10BQ015HM3/5BT-FT |
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel