maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-10AWT10HE3
Référence fabricant | VS-10AWT10HE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-10AWT10HE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10AWT10HE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10AWT10HE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10AWT10HE3-FT |
QRF0630T30
Powerex Inc.
QRF0640R30
Powerex Inc.
QRF0640T30
Powerex Inc.
QRF1210T30
Powerex Inc.
QRF1220R30
Powerex Inc.
QRF1220T30
Powerex Inc.
QRF1230R30
Powerex Inc.
QRF1230T30
Powerex Inc.
QRF1415T30
Powerex Inc.
QRF1420T30
Powerex Inc.
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel