maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / VO617A-4X017T
Référence fabricant | VO617A-4X017T |
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Numéro de pièce future | FT-VO617A-4X017T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VO617A-4X017T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 320% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 2.3µs |
Temps de montée / descente (type) | 2µs, 2µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VO617A-4X017T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VO617A-4X017T-FT |
VO213AT
Vishay Semiconductor Opto Division
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5SGSMD4K2F40I2LN
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5SGXMABK3H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CPG236I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation