maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / VN2410L-G-P014
Référence fabricant | VN2410L-G-P014 |
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Numéro de pièce future | FT-VN2410L-G-P014 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VN2410L-G-P014 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 240V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2410L-G-P014 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VN2410L-G-P014-FT |
ZVN2110A
Diodes Incorporated
ZVP0545A
Diodes Incorporated
BS170P
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
2N7000
ON Semiconductor
ZVN3310ASTZ
Diodes Incorporated
BS107P
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel