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IXYS VMO650-01F

Name: VMO650-01F
Brand: IXYS
SKU: VMO650-01F
Price: 152.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (686 reviews)

Numéro de pièce MFG: VMO650-01F

quantité disponible: 38700 Pièces

Prix de référence: USD 152.504

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 690A MODULE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VMO650-01F.pdf

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VMO650-01F Caractéristiques

Référence fabricant	VMO650-01F
Numéro de pièce future	FT-VMO650-01F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
VMO650-01F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	690A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 130mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2300nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	59000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2500W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	Y3-DCB
Paquet / caisse	Y3-DCB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VMO650-01F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VMO650-01F-FT

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