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Référence fabricant | VLZ30B-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-VLZ30B-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VLZ30B-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 28.42V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 55 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 26.3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLZ30B-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLZ30B-GS18-FT |
VLZ11C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ11C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLZ12C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation