maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / VLS4012T-3R3M1R2
Référence fabricant | VLS4012T-3R3M1R2 |
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Numéro de pièce future | FT-VLS4012T-3R3M1R2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS4012T-3R3M1R2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 1.4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 102 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS4012T-3R3M1R2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS4012T-3R3M1R2-FT |
3613C8R2K
TE Connectivity Passive Product
3613CR33M
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
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Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
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Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel