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Référence fabricant | VLS252012T-3R3MR99 |
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Numéro de pièce future | FT-VLS252012T-3R3MR99 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS252012T-3R3MR99 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1A |
Courant - Saturation | 1.4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 272 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252012T-3R3MR99 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS252012T-3R3MR99-FT |
VLS3010T-150MR55
TDK Corporation
VLS3010T-1R0N1R9
TDK Corporation
VLS3010T-1R5N1R6
TDK Corporation
VLS3010T-220MR46
TDK Corporation
VLS3010T-3R3M1R1
TDK Corporation
VLS3010ET-100M
TDK Corporation
VLS3010ET-150M
TDK Corporation
VLS3010ET-1R5N
TDK Corporation
VLS3010ET-220M
TDK Corporation
VLS3010ET-2R2M
TDK Corporation
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel