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Référence fabricant | VLS252012HBU-4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-VLS252012HBU-4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS-HBU |
VLS252012HBU-4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.36A |
Courant - Saturation | 1.67A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 295 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252012HBU-4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS252012HBU-4R7M-FT |
VLS3010T-220MR46
TDK Corporation
VLS3010T-3R3M1R1
TDK Corporation
VLS3010ET-100M
TDK Corporation
VLS3010ET-150M
TDK Corporation
VLS3010ET-1R5N
TDK Corporation
VLS3010ET-220M
TDK Corporation
VLS3010ET-2R2M
TDK Corporation
VLS3010ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010T-100MR65
TDK Corporation
VLS3010T-2R2M1R3
TDK Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel