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Référence fabricant | VLS252012ET-R47N |
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Numéro de pièce future | FT-VLS252012ET-R47N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS252012ET-R47N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.15A |
Courant - Saturation | 2.75A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 56 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252012ET-R47N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS252012ET-R47N-FT |
VLS3010ET-1R0N
TDK Corporation
VLS3010ET-6R8M
TDK Corporation
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TDK Corporation
VLS3010ET-150M
TDK Corporation
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel