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Référence fabricant | VLS252008ET-R47N |
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Numéro de pièce future | FT-VLS252008ET-R47N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS-E |
VLS252008ET-R47N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 1.65A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 140 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252008ET-R47N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS252008ET-R47N-FT |
VLF403212MT-4R7M
TDK Corporation
VLF403212MT-4R7M-CA
TDK Corporation
VLF403212MT-6R8M-CA
TDK Corporation
VLF252010MT-100M
TDK Corporation
VLF252010MT-150M
TDK Corporation
VLF252010MT-1R0N
TDK Corporation
VLF252010MT-220M
TDK Corporation
VLF252010MT-3R3M
TDK Corporation
VLF252010MT-6R8M
TDK Corporation
VLF252010MT-R47N
TDK Corporation
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation