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Référence fabricant | VLS201610ET-R47N |
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Numéro de pièce future | FT-VLS201610ET-R47N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS201610ET-R47N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.85A |
Courant - Saturation | 1.85A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 65 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610ET-R47N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS201610ET-R47N-FT |
VLS3012ET-150M
TDK Corporation
VLS3012ET-2R2M
TDK Corporation
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VLS3012ET-470M-CA
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VLS3010ET-150M-CA
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LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
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LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
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XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
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Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
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