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Référence fabricant | VLS201610ET-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-VLS201610ET-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS201610ET-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 940mA |
Courant - Saturation | 940mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 276 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201610ET-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS201610ET-2R2M-FT |
VLS3015ET-150M
TDK Corporation
VLS3015ET-330M-CA
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VLS3015ET-2R2M
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VLS3015ET-150M-CA
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VLS3015ET-1R0N
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VLS3015ET-1R0N-CA
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
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A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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