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Référence fabricant | VLF504010MT-3R3M |
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Numéro de pièce future | FT-VLF504010MT-3R3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLF-M |
VLF504010MT-3R3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.1A |
Courant - Saturation | 1.58A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 91 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLF504010MT-3R3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLF504010MT-3R3M-FT |
VLF10045T-221MR90
TDK Corporation
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XCV50E-6FG256I
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A3PE600-1FG256I
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A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
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EP3C25F324I7
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EP20K300EQC208-2
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