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Référence fabricant | VLF302512MT-1R0N |
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Numéro de pièce future | FT-VLF302512MT-1R0N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLF-MT |
VLF302512MT-1R0N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.77A |
Courant - Saturation | 2.12A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.098" W (3.00mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLF302512MT-1R0N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLF302512MT-1R0N-FT |
VLF5012ST-1R0N2R5
TDK Corporation
VLF5012ST-2R2M2R0
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VLF4014ST-100M1R0
TDK Corporation
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TDK Corporation
VLF4014ST-6R8M1R2
TDK Corporation
A1425A-PQ100I
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Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
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XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel