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Référence fabricant | VLF252012MT-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-VLF252012MT-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLF-M |
VLF252012MT-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 890mA |
Courant - Saturation | 504mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 340 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLF252012MT-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLF252012MT-6R8M-FT |
VLF403210MT-1R0N-CA
TDK Corporation
VLF403210MT-1R5N
TDK Corporation
VLF403210MT-1R5N-CA
TDK Corporation
VLF403210MT-220M
TDK Corporation
VLF403210MT-220M-CA
TDK Corporation
VLF403210MT-2R2M
TDK Corporation
VLF403210MT-2R2M-CA
TDK Corporation
VLF403210MT-3R3M
TDK Corporation
VLF403210MT-3R3M-CA
TDK Corporation
VLF403210MT-4R7M-CA
TDK Corporation
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation