Référence fabricant | VJ647M |
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Numéro de pièce future | FT-VJ647M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VJ647M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Avalanche |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, VJ |
Package d'appareils du fournisseur | VJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VJ647M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VJ647M-FT |
MMB4G-G
Comchip Technology
MMB4G-HF
Comchip Technology
MMB6G-G
Comchip Technology
MMB6G-HF
Comchip Technology
MMB8G-G
Comchip Technology
MMB8G-HF
Comchip Technology
MSD100-18
Microsemi Corporation
MSD130-18
Microsemi Corporation
MSD30-18
Microsemi Corporation
MSD50-18
Microsemi Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel