Référence fabricant | VJ448M |
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Numéro de pièce future | FT-VJ448M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VJ448M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, VJ |
Package d'appareils du fournisseur | VJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VJ448M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VJ448M-FT |
MMB2G-HF
Comchip Technology
MMB4G-G
Comchip Technology
MMB4G-HF
Comchip Technology
MMB6G-G
Comchip Technology
MMB6G-HF
Comchip Technology
MMB8G-G
Comchip Technology
MMB8G-HF
Comchip Technology
MSD100-18
Microsemi Corporation
MSD130-18
Microsemi Corporation
MSD30-18
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel