maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VIT3060C-M3/4W
Référence fabricant | VIT3060C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VIT3060C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VIT3060C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.2mA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VIT3060C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VIT3060C-M3/4W-FT |
VS-16CTU04-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel