maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / VII75-06P1
Référence fabricant | VII75-06P1 |
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Numéro de pièce future | FT-VII75-06P1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VII75-06P1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 69A |
Puissance - Max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 800µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC2 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VII75-06P1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VII75-06P1-FT |
MIXA225RF1200TSF
IXYS
MIXA300PF1200TSF
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MIXA30W1200TED
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MIXA60HU1200VA
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XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
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EP4SGX70DF29I3N
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