maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VI20120C-M3/4W
Référence fabricant | VI20120C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VI20120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VI20120C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VI20120C-M3/4W-FT |
VS-UFB130FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB280FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-403CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-203CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-400CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-401CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel