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Référence fabricant | VHFD29-12IO1 |
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Numéro de pièce future | FT-VHFD29-12IO1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VHFD29-12IO1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Nombre de SCR, Diodes | 2 SCRs, 4 Diodes |
Tension - état d'arrêt | 1.2kV |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 28A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | - |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 1V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 65mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 300A, 330A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V1A-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VHFD29-12IO1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VHFD29-12IO1-FT |
T4021N52TOHXPSA1
Infineon Technologies
T4771N22TOFXPSA1
Infineon Technologies
T4771N28TOFXPSA1
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T501N65TOHXPSA1
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T501N70TOHXPSA1
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T7300N85X203A11XPSA1
Infineon Technologies
T731N44TOHXPSA1
Infineon Technologies
T901N35TOFXPSA1
Infineon Technologies
T901N36TOFXPSA1
Infineon Technologies
CMA30P1600FC
IXYS
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
AX125-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
5SGXEA3K1F35C2N
Intel
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40E2LG
Intel
EP2AGX190EF29C6N
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel