maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VF60100C-M3/4W
Référence fabricant | VF60100C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VF60100C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VF60100C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 790mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF60100C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VF60100C-M3/4W-FT |
BAS40-04-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-06-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation