maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / VDRS14T510BSE
Référence fabricant | VDRS14T510BSE |
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Numéro de pièce future | FT-VDRS14T510BSE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VDRS |
VDRS14T510BSE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 510V |
Volts CC maximum | 670V |
Tension de varistance (min) | 738V |
Tension de varistance (Typ) | 820V |
Tension de varistance (max) | 902V |
Courant - Surtension | 4.5kA |
Énergie | 145J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 220pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 16.5mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VDRS14T510BSE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VDRS14T510BSE-FT |
VRS0402SR55R101N
Yageo
VRS0402SR180030N
Yageo
VRS0402SR55R500N
Yageo
VRS0402KR140161N
Yageo
VRS0402SR55R100N
Yageo
82553040
Wurth Electronics Inc.
82553400
Wurth Electronics Inc.
82541300
Wurth Electronics Inc.
82531400
Wurth Electronics Inc.
82541110
Wurth Electronics Inc.
XC3S1400AN-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
EP3C40F484C6N
Intel
EP4SE820F43C3
Intel
5AGXFB7H4F35C4N
Intel
EP2AGX190EF29I3G
Intel
10AX027E2F27I1SG
Intel
EP1C12F324C8
Intel