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Référence fabricant | VDRS10P550BSE |
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Numéro de pièce future | FT-VDRS10P550BSE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VDRS |
VDRS10P550BSE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 550V |
Volts CC maximum | 745V |
Tension de varistance (min) | 819V |
Tension de varistance (Typ) | 910V |
Tension de varistance (max) | 1.001kV |
Courant - Surtension | 2.5kA |
Énergie | 98J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 120pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 12.50mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VDRS10P550BSE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VDRS10P550BSE-FT |
AMCV-0603-090-C180N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-090-C300N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-090-C500N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-140-C101N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-140-C180N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-140-C300N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-140-C800N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-180-C101N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-180-C180N-T
Abracon LLC
AMCV-0603-180-C300N-T
Abracon LLC
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
EP2S30F672I4N
Intel
EP20K200FC484-3
Intel
XC5VLX85-1FFG676CES
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45E2LG
Intel
EP4SGX70HF35C2G
Intel