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Référence fabricant | VDRH10S550BSE |
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Numéro de pièce future | FT-VDRH10S550BSE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VDRH |
VDRH10S550BSE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 550V |
Volts CC maximum | 745V |
Tension de varistance (min) | 819V |
Tension de varistance (Typ) | 910V |
Tension de varistance (max) | 1.001kV |
Courant - Surtension | 3.5kA |
Énergie | 127J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 120pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 12.50mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VDRH10S550BSE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VDRH10S550BSE-FT |
V33RA8
Littelfuse Inc.
V33RA8X2749
Littelfuse Inc.
V351HA32
Littelfuse Inc.
V351HG34
Littelfuse Inc.
V360RA16
Littelfuse Inc.
V360RA16X2749
Littelfuse Inc.
V360RA8
Littelfuse Inc.
V360RA8X2749
Littelfuse Inc.
V390RA16
Littelfuse Inc.
V390RA16X2749
Littelfuse Inc.
A3PN030-ZQNG68I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG900I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
APA750-FGG896I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S60F672C3
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQC240-3
Intel