maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / VDI25-12P1
Référence fabricant | VDI25-12P1 |
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Numéro de pièce future | FT-VDI25-12P1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VDI25-12P1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Puissance - Max | 130W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 900µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC2 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VDI25-12P1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VDI25-12P1-FT |
MITB10WB1200TMH
IXYS
MITB15WB1200TMH
IXYS
MIXA100PF1200TMH
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MIXA10WB1200TMH
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MIXA10WB1200TML
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XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
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A54SX32A-2PQG208
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LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
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