maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VBT1045CBP-E3/8W
Référence fabricant | VBT1045CBP-E3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT1045CBP-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VBT1045CBP-E3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | 200°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1045CBP-E3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT1045CBP-E3/8W-FT |
VT4045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT6045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTS40100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation