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Référence fabricant | VBT1045BP-M3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT1045BP-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBT1045BP-M3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1045BP-M3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT1045BP-M3/8W-FT |
MBRB1635HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel