maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO25-12NO2
Référence fabricant | VBO25-12NO2 |
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Numéro de pièce future | FT-VBO25-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO25-12NO2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 38A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.36V @ 55A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, FO-A |
Package d'appareils du fournisseur | FO-A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO25-12NO2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO25-12NO2-FT |
GBL410_HF
Diodes Incorporated
MB10STR
SMC Diode Solutions
MB6FTR
SMC Diode Solutions
CDBHM140L-G
Comchip Technology
MSB30KH-13
Diodes Incorporated
GBJA1010-BP
Micro Commercial Co
GBJA1510-BP
Micro Commercial Co
KBJ1010G-BP
Micro Commercial Co
UG2KB60TB
SMC Diode Solutions
UG2KB100TB
SMC Diode Solutions
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel