maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBE5512N07
Référence fabricant | VBE5512N07 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VBE5512N07 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBE5512N07 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 59A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.71V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC1 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE5512N07 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBE5512N07-FT |
M3P100A-160
GeneSiC Semiconductor
M3P100A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P100A-80
GeneSiC Semiconductor
M5060SB1400
Sensata-Crydom
M5060TB400
Sensata-Crydom
M5060TB800
Sensata-Crydom
MB05M-BP
Micro Commercial Co
MB05M-G
Comchip Technology
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel