maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB60100CHE3/P
Référence fabricant | VB60100CHE3/P |
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Numéro de pièce future | FT-VB60100CHE3/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VB60100CHE3/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 790mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB60100CHE3/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB60100CHE3/P-FT |
QRD1415T30
Powerex Inc.
QRD1420T30
Powerex Inc.
QRD1430T30
Powerex Inc.
QRD3310001
Powerex Inc.
QRD3310002
Powerex Inc.
QRD3310007
Powerex Inc.
QRD6565001
Powerex Inc.
QRF0610T30
Powerex Inc.
QRF0620R30
Powerex Inc.
QRF0620T30
Powerex Inc.
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel