maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB40120C-E3/8W
Référence fabricant | VB40120C-E3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VB40120C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB40120C-E3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB40120C-E3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB40120C-E3/8W-FT |
V40DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
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10AX016E3F27I2LG
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