maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB30202C-M3/8W
Référence fabricant | VB30202C-M3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VB30202C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB30202C-M3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30202C-M3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB30202C-M3/8W-FT |
V40D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
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LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
Intel