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Vishay Semiconductor Diodes Division VB20120SG-E3/8W

Name: VB20120SG-E3/8W
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VB20120SG-E3/8W
Price: 0.742432 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (248 reviews)

Numéro de pièce MFG: VB20120SG-E3/8W

quantité disponible: 57040 Pièces

Prix de référence: USD 0.742432

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: TMBS® DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VB20120SG-E3/8W.pdf

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VB20120SG-E3/8W Caractéristiques

Référence fabricant	VB20120SG-E3/8W
Numéro de pièce future	FT-VB20120SG-E3/8W
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TMBS®
VB20120SG-E3/8W Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	120V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	20A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.33V @ 20A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	250µA @ 120V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VB20120SG-E3/8W Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VB20120SG-E3/8W-FT

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