maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V8PM12HM3_A/H
Référence fabricant | V8PM12HM3_A/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-V8PM12HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PM12HM3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM12HM3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V8PM12HM3_A/H-FT |
BAT54WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel