maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V8P6HM3_A/I
Référence fabricant | V8P6HM3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-V8P6HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8P6HM3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 610mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 600µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P6HM3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V8P6HM3_A/I-FT |
V10P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P45S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10PL45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel