maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V8P12HM3_A/H
Référence fabricant | V8P12HM3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-V8P12HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8P12HM3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P12HM3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V8P12HM3_A/H-FT |
SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel