maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V8P10HM3_A/I
Référence fabricant | V8P10HM3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-V8P10HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8P10HM3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 70µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P10HM3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V8P10HM3_A/I-FT |
SS8P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel