maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V60170G-M3/4W
Référence fabricant | V60170G-M3/4W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-V60170G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V60170G-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 170V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.02V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 450µA @ 170V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V60170G-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V60170G-M3/4W-FT |
VS-HFA16PA120C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PA60C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PA60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30PA60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA32PA120C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA50PA60C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA50PA60CHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel