maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V3F6-M3/I
Référence fabricant | V3F6-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V3F6-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V3F6-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 600µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 310pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3F6-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V3F6-M3/I-FT |
S07J-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel