maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V35PW10-M3/I
Référence fabricant | V35PW10-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V35PW10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PW10-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 35A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 2500pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | SlimDPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PW10-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V35PW10-M3/I-FT |
VS-10WQ045FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
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EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel