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Référence fabricant | V2P6-M3/H |
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Numéro de pièce future | FT-V2P6-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
V2P6-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 195pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AD |
Package d'appareils du fournisseur | MicroSMP (DO-219AD) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2P6-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V2P6-M3/H-FT |
UH4PCCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH4PCCHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PD-M3H/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel