maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V2FM12HM3/I
Référence fabricant | V2FM12HM3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V2FM12HM3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V2FM12HM3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 960mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 65µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM12HM3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V2FM12HM3/I-FT |
S07D-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel